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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体领域中。具体的，在本发明提供的半导体器件的制造方法中，其通过在形成L型介质层之前增加了去除初始氧化层的步骤，进而避免了由于在形成堆叠结构两侧的L型介质层之前，位于堆叠结构两侧的半导体衬底表...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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