下载具有竖直结构的存储器件和包括存储器件的存储系统的技术资料

文档序号:37676139

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方,该第二上半导体层包括第二存储...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。