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本公开提供了一种沟道衬垫氧化层的制备方法、稀释磁性半导体器件，所述制备方法包括：将设定元素通过离子注入方式注入沟道底部，破坏所述沟道底部的硅的晶格，形成以不规则硅为主的破坏层；对沟道进行氧化层沉积，所述沟道底部的氧化速率与所述沟道侧壁的硅的...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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