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本发明公开了一种基于类可控硅二极管的静电保护器件，包括：半导体基板；深埋层隔离区，嵌埋至所述半导体基板中；第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，依次设置在所述深埋层隔离区上；多个浅沟槽隔离区，依次设置在第一N型掺杂...
该专利属于杭州傲芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州傲芯科技有限公司授权不得商用。

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