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本发明提供一种沟槽电容结构的制作方法。上述方法包括提供一基底，其表面定义有一存储阵列区域以及一逻辑区域，进行一浅沟隔离工艺，于存储阵列区域以及逻辑区域中的基底上形成至少一浅沟隔离，并于基底以及浅沟隔离的表面形成一图案化的屏蔽层，曝露出存储阵...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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