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本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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