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本发明提供一种改善高压器件可靠性的工艺方法，提供基底及位于所述基底上的有源区，有源区上覆盖有伪栅极结构；将伪栅极结构依据所述有源区的轮廓形成多个狭槽，其中多个狭槽相互平行，且长度方向沿所述有源区内的沟道方向，该方向与有源区的第一组边界平行；...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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