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本发明公开一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件电场集聚区上方有浮空场板，浮空场板和电极之间有纵向间距，浮空场板为金属材质，器件的电极和浮空场板均位于介质层内。在半导体器件中使用浮空场板结构在电场集聚位置上方覆盖一金属材料，利...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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