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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅极结构；步骤二、进行第一次刻蚀工艺将第一栅极结构的至少一侧的半导体衬底刻蚀一定深度并形成第一凹槽；步骤三、进行应力记忆工艺，包括：步骤31、形成应力介质层，应力介质...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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