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本实用新型公开了一种可控制焊料厚度的功率模块引线框架，属于电子器件封装技术领域；包括：一引线框架本体；一框架外围结构；一用于连接功率芯片的基岛，所述基岛上设有至少一打沉结构，每一所述打沉结构设有凸包结构。上述技术方案的有益效果是：提供一种可...
该专利属于嘉兴斯达半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴斯达半导体股份有限公司授权不得商用。

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