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本发明公开了一种具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法，包含有提供表面形成有不同导电型的二晶体管与覆盖该晶体管的介电层的基底，平坦化该介电层，暴露出该晶体管的栅极导电层，于该基底上形成暴露其中导电型晶体管的图案化阻挡层，进行第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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