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本发明是有关于一种隔离结构、具有隔离结构的非挥发性记忆体及其制造方法。该形成一隔离结构的方法，包含：ａ）提供具有一凹陷的一基底；ｂ）形成一停止层于该凹陷中及该基底上；ｃ）形成一介电材料于该停止层上，使得其余的该凹陷中填满该介电材料；ｄ）利用...
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