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本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：第一工序，在半导体衬底上形成抑制杂质注入引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；第二工序，通过从缺陷抑制膜上注入杂质而在半导体衬底表面形成元件活性区域；第三工序，除去缺陷抑制膜；第四工序，将抑制元件活性区域的...
该专利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社授权不得商用。

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