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本发明涉及半导体电子技术领域，具体涉及一种提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法。该生长方法将AlN衬底放入反应腔中，依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区层、低温P型GaN层、p型AlGaN超晶...
该专利属于福建兆元光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建兆元光电有限公司授权不得商用。

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