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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在鳍部之间的掩埋式电源轨顶部形成阻挡层,阻挡层与两侧的鳍部相间隔;在衬底上形成隔离层,隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,且还覆盖掩埋式电源轨的顶部;在隔离层的顶部形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分顶...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在鳍部之间的掩埋式电源轨顶部形成阻挡层,阻挡层与两侧的鳍部相间隔;在衬底上形成隔离层,隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,且还覆盖掩埋式电源轨的顶部;在隔离层的顶部形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分顶...