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本发明提供一种Nor闪存阵列的制作方法。该Nor闪存阵列的制作方法中，提供的基底中形成有阱区，在阱区的基底顶部形成第一掺杂区，之后在第一掺杂区的基底上方形成阵列排布的多个第一栅极结构；其中，Nor闪存阵列的一个存储管包括一个第一栅极结构，第...
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