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本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下:(1)涂胶;(2)光刻:将涂胶后的LED芯片P面曝光,得到标识切割道和偏移刻度标识;(3)显影;(4)刻蚀;(5)去胶;(6)贴膜;(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切...该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下:(1)涂胶;(2)光刻:将涂胶后的LED芯片P面曝光,得到标识切割道和偏移刻度标识;(3)显影;(4)刻蚀;(5)去胶;(6)贴膜;(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切...