一种改善偏移的LED芯片切割方法技术

本发明专利技术涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：(1)涂胶；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；(3)显影；(4)刻蚀；(5)去胶；(6)贴膜；(7)切割。本发明专利技术改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种改善偏移的LED芯片切割方法


[0001]本专利技术涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法，属于LED芯片


技术介绍

[0002]LED芯片作为半导体照明的核心元器件，在照明行业发挥着重要作用。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。因此LED芯片最后的外观形状好坏会直接影响到其电性能参数的好坏，因此LED行业领域内对芯片外观的要求颇为严格，尤其是尺寸越小越明显，影响LED芯片外观及后续下道封装焊线质量的比较重要的因素就是切割过程中发生的切痕偏移(业内也可称为锯偏，直观解释为LED芯片P电极距离芯片两侧边缘的距离长度不对等)，会导致LED芯片焊线时焊球位置偏，影响出光等性能参数。
[0003]在LED芯片制备工艺中，切割本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)涂胶：将LED芯片P面表面涂覆光刻胶，在LED芯片P面上形成掩护膜；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；所述标识切割道为从左至右贯穿整个LED芯片P面的直线；所述偏移刻度标识为位于LED芯片的边缘两侧，带有竖向刻度标识的垂直短线；(3)显影：将光刻后的LED芯片进行烘烤，然后进行显影腐蚀；(4)刻蚀：将显影后的LED芯片进行清洗、烘干，然后对没有被光刻胶覆盖的标识切割道进行干法刻蚀，刻蚀深度延伸到GaP层；(5)去胶：将刻蚀后的LED芯片进行化学腐蚀，去除LED芯片表面覆盖的光刻胶掩膜；(6)贴膜：将去除光刻胶掩护膜的LED芯片P面朝下贴附在蓝膜上；(7)切割：沿着步骤(2)形成的标识切割道对LED芯片进行切割，切割过程中根据步骤(2)形成的偏移刻度标识实时检测并调整刀片切痕的位置，完成LED芯片的切割。2.如权利要求1所述的改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，步骤(1)中，所述涂胶的具体步骤为：将LED芯片通过真空吸附于匀胶机吸盘上，利用匀胶机在LED芯片P面涂抹覆盖负性光刻胶，匀胶机吸盘转速为3000
‑
7000r/min，涂胶厚度为3.如权利要求1所述的改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，步骤(2)中，所述曝光时光照强度为5
‑
10μW/cm2，曝光时间为5
‑
15s。4.如权利要求1所述的改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，步骤(3)中，所述烘烤的温度为90
‑
110℃，烘烤时间为10
‑
20min，显影腐蚀液的浓度为2
‑
4.5％，腐蚀时间为25
‑
35s。5.如权利要求4所述的改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，所述显影腐蚀液为四甲基氢氧化铵溶液。6.如权利要求1所述的改善偏移的LED芯片切割方法，其特征在于，步骤(4)中，所述干法刻蚀为使用I...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，王爱杰，李琳琳，齐国健，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：