下载下拉电路及半导体装置的技术资料

文档序号:3762782

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本发明提供具备可减小面积的下拉电路的半导体装置。下拉电路由耗尽型NMOS晶体管和增强型NMOS晶体管构成,该耗尽型NMOS晶体管的栅极与接地电位连接,该增强型NMOS晶体管的栅极和漏极与耗尽型NMOS晶体管的源极连接,而源极与接地电位连接。...
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