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公开了采用非对称宽度读取字线和写入字线(WWL)以减少存储器写入延时和改进存储器写入访问性能的静态随机存取存储器(SRAM)位单元，以及相关的制造方法。在示例性方面，SRAM位单元基于通过采用减少宽度的读取字线实现的电路单元布局面积节省，而...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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