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一种存储器结构及其操作方法,其中结构包括:包括:衬底;位于衬底上若干相互分立的存储栅结构,存储栅结构包括存储层以及位于存储层上的控制栅层;位于衬底上的若干选择栅结构,选择栅结构位于相邻的存储栅结构之间;位于衬底上的串选择线和地选择线,若干存...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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