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本申请实施例公开了一种具备防止铜扩散阻挡层结构的半导体制造方法，包括：沉积介质层；对介质层进行刻蚀，以开出沟槽；于沟槽沉积第一扩散阻挡层；于第一扩散阻挡层上方形成铜金属层；对铜金属层进行研磨，使呈现碟型结构；以带负偏压的沉积方式在铜金属层表...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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