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本发明提供一种倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：n型衬底；n型GaN漂移区，n型GaN漂移区具有倾斜侧壁；p型掺杂区，排布于n型GaN漂移区中，其中，p型掺杂区的掺杂源包括Mg离子和O离子；倾斜式场板介质层，设置在倾斜侧壁...
该专利属于东莞市中器集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中器集成电路有限公司授权不得商用。

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