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非易失性半导体存储装置制造方法及图纸
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下载非易失性半导体存储装置的技术资料
文档序号:3761810
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提供一种非易失性半导体存储装置,其具有动作电压种类少、可减小周边电路的电路规模的存储单元,具有:选择晶体管8,其在半导体基板1的通道两侧具有源极/漏极(3),并且在通道上,通过厚栅极绝缘膜(4)而具有栅极电极(6);元件分离区域(2),形成...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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