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提供了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明，半导体器件包括：有源区，其形成在衬底中并且包括平坦表面和孔形凹部；上层插塞，其设置在平坦表面之上；间隔件，其设置在上层插塞之间并提供暴露出孔形凹部的沟槽；下层插塞，其填充孔形凹部；以及掩埋导线，...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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