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本实用新型涉及紫外光探测器的技术领域，公开了一种2D Ga2S3/GaN II型异质结自驱动紫外光探测器，由下往上依次包括Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、u
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该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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