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本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及结构，包括提供衬底、有源区以及隔离结构；图形化有源区以及隔离结构，形成字线沟槽，字线沟槽侧壁露出有源区以及隔离结构；对字线沟槽侧壁露出的有源区以及隔离结构进行至少一次圆滑化处理，以使...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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