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本发明提供一种硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法，涉及功分器技术领域。本明首先通过湿法腐蚀硅基底制备带有平缓坡度的一分二样式的开放式微沟槽，在开放式微沟槽内沉积带有用于布置隔离电阻的窗口的下层外导体，相当于利用开放式微沟槽的缓坡...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

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