【技术实现步骤摘要】
硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法
[0001]本专利技术涉及功分器
,具体涉及一种硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法。
技术介绍
[0002]在微波射频系统中,功分器是实现功率分配和功率合成的重要单元之一,已广泛应用于各种无线通信、雷达、遥控遥感以及微波测量设备中。由于拥有低色散、高隔离度、低插损、宽带宽以及阻抗变换简单等一系列优点,基于MEMS微同轴工艺的微同轴功分器受到了越来越多的关注。已报道的微同轴功分器有T型和威尔金森型,T型功分器结构简单,无需额外的隔离电阻;威尔金森功分器因隔离电阻的存在而隔离度较高,同时由于其出色的平衡性能而被广泛应用。
[0003]微同轴威尔金森功分器常用的制备方法包括:以蓝宝石、半导体或陶瓷为衬底,采用光刻胶作为腐蚀牺牲层定义出功分器区域,对该区域多次电镀铜进行堆叠形成外层金属导体和内导体,然后用腐蚀液去除光刻胶后就可得到功分器主体,最后在功分器的输出端添加隔离电阻。
[0004]虽然传统的制备方法可成功制作微同轴威尔金森功分器,但传统方案仍具 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅基微同轴威尔金森功分器结构的一体化制备方法,其特征在于,包括:S1、在硅基底(100)制备开放式微沟槽(101),所述开放式微沟槽(101)的侧壁倾斜,与底部平缓连接;所述底部还包括分隔结构;S2、在所述开放式微沟槽(101)的表面沉积介质层(201);S3、在所述介质层(201)上制备下层外导体(301),所述下层外导体(301)上开设横跨分隔结构的第一窗口(302);S4、在所述下层外导体(301)上制备光刻胶支撑体(401);S5、在所述光刻胶支撑体(401)上沉积第一金属种子层并进行匀胶光刻,定义出内导体的输入端(501)、第一输出端(502)和第二输出端(503),以及隔离电阻(504)、连接线(505)区域并进行电镀;电镀完成后去除所述第一金属种子层;其中,所述第一输出端(502)和第二输出端(503)分别位于分隔结构划分的两侧区域;所述隔离电阻(504)在第一开窗(302)内与对应的输出端相连,并通过连接线(505)跨过分隔结构两两连接;S6、在所述内导体上制备图形化的光刻胶覆盖内导体,在光刻胶上沉积第二金属种子层并重新匀胶光刻,定义出上层外导体(601)区域并进行电镀;电镀完成后去除所述第二金属种子层;其中,所述上层外导体(601)与下层外导体(301)相连,设有第二窗口(602),以及用于布置所述连接线(505)的第三窗口(603);S7、通过所述第二窗口(602)去除内外导体之间的光刻胶,获取以空气为介质的硅基微同轴威尔金森功分器;其中,去除的光刻胶为S5和S6中用于电镀的光刻胶,为同一类型光刻胶且区别于所述光刻胶支撑体(401)。2.如权利要求1所述的硅基微同轴威尔金森功分器结构的一体化制备方法,其特征在于,所述S1包括:S11、在硅基底(100)上通过干法氧化制备二氧化硅氧化层;S12、采用热蒸发的方式先后在二氧化硅氧化层上沉积铬膜和金膜;S13、在金膜上制备图形化的光刻胶掩膜;S14、湿法腐蚀去除多余的铬膜和金膜后去除光刻胶掩膜;S15、湿法腐蚀或干法刻蚀去除裸露出来的二氧化硅氧化层;S16、湿法腐蚀裸露出来的硅基底,形成所述分隔结构;S17、湿法腐蚀剩余的铬膜和金膜;S18、湿法腐蚀或干法刻蚀剩余的氧化层,得到所述带有平缓坡度的开放式微沟槽(101)。3.如权利要求1所述的硅基微同轴威尔金森功分器结构的一体化制备方法,其特征在于,所述S3中带有第一窗口(302)的下层外导体(301)通过腐蚀开窗区域的方法或者金属剥离法进行制备。4.如权利要求3所述的硅基微同轴威尔金森功分器结构的一体化制备方法,其特征在于,当通过腐蚀开窗区域的方法时,所述S3包括:S31、在所述介质层(201)的表面沉积金属层;S32、将S31得到的样片置于匀胶机转盘上,将光刻胶倒于硅片表面匀胶烘烤,匀胶后置
于对准光刻机中,安装光刻掩模,并进行光刻;S33、配置显影液与水的混合液,将S32得到的样片置于混合溶液中显影,随后将所述样片取出,并用去离子水清洗...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏晓莉,吴伟,王锐,马强,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第三十八研究所,
类型:发明
国别省市:
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