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提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括栅极结构、位线结构、接触插塞结构、第一电容器和第二电容器。栅极结构形成在包括单元区域和外围电路区域的基底中，并且每个栅极结构在第一方向上延伸。位线结构形成在基底的单元区域上，并且每个位线结构在第二方向...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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