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本发明公开了一种半浮栅存储器件，为高K/金属栅极与氧化硅/多晶硅栅极共存的双控制栅半浮栅存储器件，其由外延生长结构形成控制栅外延硅层、源区及漏区，不需要单独进行源漏离子注入，节省了源漏离子注入所需要的光罩，制备成本低。本发明公开了所述半浮栅...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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