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本发明公开了一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明提供的方法可以在制备二硫化钼薄膜的同时沉积碳点，即一步法完成碳点/二硫化钼薄膜的制备。本发明提供的方法可以合成多种结构的尺寸可控的碳点/二硫化钼薄膜...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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