一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明专利技术提供的方法可以在制备二硫化钼薄膜的同时沉积碳点，即一步法完成碳点/二硫化钼薄膜的制备。本发明专利技术提供的方法可以合成多种结构的尺寸可控的碳点/二硫化钼薄膜。本发明专利技术制备的碳点/二硫化钼薄膜，丰富了二硫化钼的物理化学特性，拓展了其在光电、电化学催化等领域上的应用。领域上的应用。领域上的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法
1.

[0001]本专利技术属于半导体材料制备
，尤其涉及一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法。
2.
技术介绍

[0002]二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)是一类面内以共价键连接、层间以范德华力相互作用的层状材料。二硫化钼(MoS2)作为最早被研究的TMDCs之一，因其独特的物理化学性能成为近几年研究的热点。为了进一步调制MoS2的性能及拓展其应用范围，将碳点与MoS2是一种可行的选择，因为碳点可以有效促进光照下MoS2光生电荷的分离和转移，以及在二维结构丰富的活性位点上参与氧化还原反应等。
[0003]目前碳点/MoS2薄膜制备主要是以MoS2粉末为载体、水热法制备为主，缺点在于质量较低以及在后续应用在需要加以粘结剂成膜等缺点，因此研究以MoS2薄膜为载体、厘米级的碳点/MoS2薄膜的制备仍然是一个挑战，无论在基础研究还是实际应用上都具有重要的研究意义。
3.
技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于：提供一种一步法制备厘米级碳点/MoS2薄膜的方法，丰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗衬底：将厘米级尺寸的重掺p型二氧化硅(SiO2/Si)或蓝宝石衬底放入丙酮超声15min，无水乙醇15min，去离子水15min，用氮气枪吹干。(2)清洗石英舟：将石英舟在1mol/L氢氧化钠溶液中浸泡30min，然后置于去离子水中清洗；多次更换去离子水，以去除石英舟表面残留的氢氧化钠，最后用氮气枪吹干。(3)制备碳点/MoS2薄膜：a)用电子秤称量硫粉(S)、五氯化钼(MoCl5)粉末和石蜡粉末，将称量好的S粉放入石英舟里放置在管式炉的第一个温区，将称量好的MoCl5粉末和石蜡S粉混合放入石英舟里放置在管式炉的第二个温区，将生长衬底放入第三温区，如图1所示；b)在氩气气氛下，将第一温区、第二温区和第三温区均升温至110℃，保温10min，去除水蒸气；c)在氩气气氛下,将生长腔室抽至生长压强，接着将第一温区、第二温区和第三温区分别升温至生长温度，然后保温生长时间，进行碳点/MoS2薄膜生长，最后自然冷却至室温，即得到厘米级的碳点/MoS2薄膜。2.根据权利要求1所述的通过一步法制备厘米级碳点/MoS2薄膜的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，S粉质量为30
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200mg。3.根据权利要求1所述的通过一步法制备厘米级碳点/MoS2薄膜的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，MoCl5粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：周婷，张睿龙，李萍剑，李雪松，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：