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本发明涉及制备和组装基材的方法，本发明尤其涉及一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层的方法，该移植层形成在第一晶片材料中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料经过一厚度，其中所述移植层至少在其...
该专利属于特拉希特技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过特拉希特技术公司授权不得商用。

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