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本发明公开了一种高鲁棒性防静电浪涌衬底型ESD/TVS管结构及方法。该ESD/TVS管结构在表面金属及接触之下设置与半导体单晶衬底相接触且电学连接的发射极结优化填充槽，发射极结优化填充槽的下部设置有位于半导体单晶衬底之中且与发射极结优化填充...
该专利属于江苏庆延微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏庆延微电子有限公司授权不得商用。

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