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本公开提供了一种六方氮化硼异质结构的制备方法，包括：S1，对介质衬底进行升温操作，并向沉积腔室通入氨气；S2，离子源溅射氮化硼靶材，得到的氮、硼原子沉积至介质衬底上生长；S3，降温得到六方氮化硼异质结构。本公开的制备方法通过辅助气路通入氨气...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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