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本公开涉及相变存储器件及其制备方法。相变存储器件包括存储单元，存储单元包括：导电部；第一电极层，包括设置于导电部的第一部分之下的第一部分和设置于导电部的第一部分之上的第二部分，第一电极层的第一部分和第二部分接触以围绕导电部的第一部分并与导电...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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