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本发明提供一种双极型晶体管结构及制作方法，包括P型衬底、深N阱、N型外延层、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，电极引出端注入区包括依次间隔排列的第一基极引出端注入区、第一集电极引出端注入区、发射极引出端注入区、第二集电极引出端注入区...
该专利属于微龛（广州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛（广州）半导体有限公司授权不得商用。

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