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本发明提供了一种GaN半桥功率模块集成封装结构及其封装方法，包括：陶瓷基板，陶瓷基板的上表面覆有顶部覆铜层，陶瓷基板的下表面覆有底部覆铜层，陶瓷基板的上表面开设有芯片嵌入槽，陶瓷基板上还开设有多个通孔，顶部覆铜层和底部覆铜层通过通孔的孔壁电...
该专利属于长沙安牧泉智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙安牧泉智能科技有限公司授权不得商用。

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