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本发明提供一种结型场效应晶体管及其制造方法、芯片，在源漏之间形成了环绕第三掺杂区（即沟道）的掺杂区环，由此使得该结型场效应晶体管的夹断电压由所述第三掺杂区在垂直于轴向和半导体衬底厚度方向的径向上的线宽（即掺杂区环在该方向上的内径）决定，由此...
该专利属于中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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