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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件单元区，其中形成有叠层结构，包括第一沟道层、牺牲层和第二沟道层，器件单元区两侧形成有第一预埋电源层和第二预埋电源层，基底上形成有伪栅结构；在伪栅结构两侧的叠层结构中形成第一源漏掺杂...
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