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本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、衬底中的第一阱区域、衬底之上的栅极结构、在衬底中并在栅极结构下方的第二阱区域和第三阱区域、以及位于栅极结构的相反侧的源极区域和漏极区域。漏极区域在第二阱区域中，并且源极区域在第三阱区...
该专利属于台积电（中国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台积电（中国）有限公司授权不得商用。

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