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前段工艺互连结构以及相关联系统和方法技术方案
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文档序号:37505569
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用于半导体装置的系统和方法,所述半导体装置包括:前侧处具有沟槽的衬底材料;位于所述衬底材料的所述前侧的至少一部分上方且位于所述沟槽中的保形电介质材料;位于所述沟槽中的所述保形电介质材料之上的填充电介质材料;以及在前段工艺(FEOL)处理期间...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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