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本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。半导体功率器件包括由下而上依次叠设的背电极、衬底层、绝缘缓冲层、沟道层、势垒层、介质层和钝化层，将传统的单一导电衬底层替代为包含导电衬底区和绝缘衬底区的组合衬底层，将绝缘缓冲层划为三个区域：位于导...
该专利属于珠海镓未来科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海镓未来科技有限公司授权不得商用。

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