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本发明公开了一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层和第二掺杂硅N型层，其特征在于，还包括：AlGaN插入层，设置于第一掺杂硅N型层与第二掺杂硅N型层之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。本发明提供的肖特...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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