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本发明公开了一种利用SF6废气等离子体刻蚀SiO2的系统与方法。所述系统中的洗气室、稀释气体压缩室通过流量计和电磁阀与混气室相连，并与放电室相连，放电室分别又与S沉积室、缓冲气室连接，缓冲气室与与吸收室、收集气瓶(SiF4)及Ar稀释气体压...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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