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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成金属互连层及第一介质层，第一介质层中形成若干第一通孔；形成若干第一互连结构，第一互连结构间隔排列且节距为2N，每个第一互连结构覆盖至少填充一个第一通孔以与金属互联层电性连...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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