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提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底的整个表面上方形成塞导电层；蚀刻该塞导电层以形成着陆塞；蚀刻着陆塞之间的衬底以形成沟槽；在沟槽的表面上方形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上方形成部分填充沟槽的掩埋栅极。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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