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本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括在一基底上形成一栅极结构，接着进行一沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖该基底及该栅极结构，对该氮化硅层进行一原位退火制作工艺，以及于该原位退火制作工艺后，对该氮化硅层进行一各向异性蚀刻制作工艺，以在该栅...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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