半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构的制造方法，包括在一基底上形成一栅极结构，接着进行一沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖该基底及该栅极结构，对该氮化硅层进行一原位退火制作工艺，以及于该原位退火制作工艺后，对该氮化硅层进行一各向异性蚀刻制作工艺，以在该栅极结构的一侧壁上形成一间隙壁。构的一侧壁上形成一间隙壁。构的一侧壁上形成一间隙壁。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种间隙壁底部具有外扩轮廓的半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]在现有半导体产业中，多晶硅系广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal
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oxide
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semiconductor，MOS)晶体管中，作为标准的栅极填充材料选择。然而，随着MOS晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶硅栅极因硼穿透(boron penetration)效应导致元件效能降低，及其难以避免的空乏效应(depletion effect)等问题，使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此，半导体业界更尝试以新的栅极填充材料，例如利用功函数(work function)金属来取代传统的多晶硅栅极，用以作为匹配高介电常数(High
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K)栅极介电层的控制电极。
[0003]在制作出栅极结构并接着形成后续间隙壁的过程中，所使用的蚀刻气体容易因过蚀刻、底切等现象，而蚀穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括:在基底上形成一栅极结构；进行沉积制作工艺以形成氮化硅层覆盖该基底及该栅极结构，其中该沉积制作工艺的温度介于600至650℃之间；对该氮化硅层进行原位退火制作工艺，其中该原位退火制作工艺的温度高于700℃；以及对该氮化硅层进行各向异性蚀刻制作工艺，以在该栅极结构的侧壁上形成间隙壁。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该沉积制作工艺包括低压化学气相沉积制作工艺，并且使用二氯硅烷(dichlorosilane,DCS)及氨气(NH3)作为反应气体来形成该氮化硅层。3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该原位退火制作工艺是在氮气(N2)环境下进行。4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该原位退火制作工艺的温度介于700至800℃之间。5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中该原位退火制作工艺的温度介于750至770℃之间。6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊，黄世贤，谈文毅，高峰，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：